五年前中國(guó)大陸的半導(dǎo)體器件銷(xiāo)售額為130億美元，僅占全球芯片銷(xiāo)售額的3.8%。中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)在2020年實(shí)現(xiàn)了前所未有的30.6%的年增長(zhǎng)率，年總銷(xiāo)售額達(dá)到398億美元。 這一增長(zhǎng)幫助中國(guó)大陸地區(qū)在2020年占據(jù)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)9%的份額，連續(xù)兩年超過(guò)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，緊隨日本和歐盟(EU)之后，這兩個(gè)國(guó)家的市場(chǎng)份額分別為10%。
 
構(gòu)建其半導(dǎo)體制造供應(yīng)鏈方面，中國(guó)大陸也保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)速度，2021年宣布新增28個(gè)晶圓廠(chǎng)建設(shè)項(xiàng)目，新投資計(jì)劃總額約260億美元。
 
芯片制造方面，隨著華為、中芯國(guó)際等被列入美國(guó)政府的實(shí)體清單，中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在先進(jìn)邏輯節(jié)點(diǎn)制造的開(kāi)發(fā)變得遲緩，并將大部分資金轉(zhuǎn)向成熟工藝制造技術(shù)。由于這一變化，從2020年9月到2021年11月，由于這一變化，從2020年9月至2021年11月，中國(guó)晶圓制造商在落后節(jié)點(diǎn)(>=14nm)每月增加近50萬(wàn)晶圓(WPM)產(chǎn)能，而在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)僅增加10K產(chǎn)能。僅中國(guó)大陸的晶圓產(chǎn)能增長(zhǎng)就占全球總量的26%。
 
中國(guó)大陸2021年19nm DDR4移動(dòng)DRAM、64層3D NAND FLASH芯片開(kāi)始商用，128層產(chǎn)品也啟動(dòng)生產(chǎn)。盡管中國(guó)大陸存儲(chǔ)行業(yè)仍處于發(fā)展的早期階段，但預(yù)計(jì)中國(guó)大陸企業(yè)將在未來(lái)五年內(nèi)具備高度競(jìng)爭(zhēng)力，并將實(shí)現(xiàn)40-50%的年復(fù)合增長(zhǎng)率。
 
后端生產(chǎn)方面，中國(guó)在外包組裝、封裝和測(cè)試（OSAT）方面處于全球領(lǐng)先地位，其三大OSAT廠(chǎng)商合計(jì)占據(jù)全球35%以上的市場(chǎng)份額。
 
這些跡象表明，中國(guó)大陸半導(dǎo)體芯片銷(xiāo)售的快速增長(zhǎng)很可能會(huì)持續(xù)，這在很大程度上得益于中國(guó)中央政府堅(jiān)定不移的承諾以及面對(duì)中美競(jìng)爭(zhēng)強(qiáng)有力政策支持。盡管中國(guó)大陸要趕上現(xiàn)有的行業(yè)領(lǐng)先者還有很長(zhǎng)的路要走——尤其是在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)代工生產(chǎn)、設(shè)備和材料方面——但預(yù)計(jì)未來(lái)十年差距將縮小。

本文關(guān)鍵詞：DRAM,Nand Flash

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