磁阻隨機(jī)存取存儲器MRAM與傳統(tǒng)類型的存儲器（如SRAM、DRAM和閃存）不同，后者使用電荷來存儲信息。MRAM不是利用電子的電荷，而是利用其自旋來存儲數(shù)據(jù)。這種類型的電子學(xué)被稱為“自旋電子學(xué)”。
 
MRAM自旋電子特性的核心是磁隧道結(jié)(MTJ)，這是一種由許多鐵磁層和非磁層組成的薄膜結(jié)構(gòu)。MTJ的電阻以及因此存儲元件的位狀態(tài)，純粹隨著這些層的極化變化而切換。由于這些材料在未通電時幾乎可以永遠(yuǎn)保持其極化狀態(tài)，因此MRAM與閃存、FeRAM和EEPROM一起屬于非易失性存儲器(NVM)陣營。
 
對于1960年代和70年代的系統(tǒng)設(shè)計人員來說，當(dāng)半導(dǎo)體存儲器相對較新時，標(biāo)準(zhǔn)的思維方式是“在速度和密度很重要但功率不重要時考慮易失性存儲器”和“當(dāng)功率和密度很重要時考慮非易失性存儲器”速度不是。”這些簡單的規(guī)則適用于當(dāng)時可用的技術(shù)，如DRAM、SRAM和EEPROM。然而，今天的內(nèi)存領(lǐng)域包含如此多的技術(shù)，以至于不再可能做出如此嚴(yán)格的區(qū)分。每種類型的內(nèi)存都有其獨(dú)特的優(yōu)勢和劣勢，并且有一些“理想內(nèi)存”候選者承諾結(jié)合許多技術(shù)的優(yōu)勢而沒有弱點(diǎn)。一個這樣的候選者是基于自旋扭矩技術(shù)的下一代MRAM，稱為STT-MRAM。它承諾結(jié)合閃存的非易失性、DRAM的密度、SRAM的速度和MRAM的抗輻射性。


本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,MRAM,SRAM

相關(guān)文章： ram分為靜態(tài)SRAM和動態(tài)DRAM
 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。