事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)（EDR)是整合于車輛氣囊控制模塊內(nèi)部，用來記錄碰撞發(fā)生前、碰撞中及碰撞后動態(tài)時間序列數(shù)據(jù)的裝置。它可以記錄碰撞前5s的速度、加速度變化，制動踏板狀態(tài)、安全帶使用情況等數(shù)據(jù)儲存起來。，這些數(shù)據(jù)將為交通事故的準確重建提供重要依據(jù)。
 
    EDR的系統(tǒng)硬件由傳感器、處理器、存儲單元和備用電源等模塊構成，分別用于監(jiān)測和采集數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)、保存數(shù)據(jù)和保證自供電能力。EDR硬件部分主要包括主控芯片(MCU)、電源模塊、存儲模塊和傳感模塊等。
 
    采用的存儲芯片NETSOL MRAM與SRAM不同，無需電壓控制器、電池及電池插座，與nvSRAM不同，無需電容器，寫入速度快，近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)），斷電即時數(shù)據(jù)備份.在數(shù)據(jù)記錄應用中因需要持續(xù)、反復地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。
 
    EDR存儲模塊使用的MRAM存儲芯片可以在事故發(fā)生時收集和存儲更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。EDR記錄了交通事故碰撞前和碰撞過程中駕駛員操作行為及車輛行駛狀態(tài)，可以用于道路交通事故成因分析以及評估事故過程中車輛安全系統(tǒng)是否工作正常，EDR數(shù)據(jù)的使用有助于提高道路交通事故重建技術的準確性、科學性和客觀性。


本文關鍵詞：NETSOL MRAM,MRAM

相關文章：BMS應用MRAM存儲芯片

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。