英尚推出偉凌創(chuàng)芯低功耗同步SRAM內(nèi)存方案
2026-04-16 10:49:09
同步SRAM的所有訪問操作都嚴格跟隨時鐘信號的上升沿或下降沿啟動，地址、數(shù)據(jù)輸入以及控制信號都與時鐘保持同步。相比異步SRAM，同步SRAM由于在時鐘信號驅(qū)動下工作，后續(xù)數(shù)據(jù)讀寫均在時鐘沿完成，因此具備更快的訪問速度和更高的帶寬。為了進一步提升效率，業(yè)界還發(fā)展出了多種流水線結(jié)構(gòu)的同步SRAM，廣泛應(yīng)用于對性能要求苛刻的場景。
英尚代理的偉凌創(chuàng)芯低功耗同步SRAM型號EMI504HL08WM-55I采用了成熟的CMOS工藝，存儲容量為4Mbit，組織方式為512K×8bit。同步SRAM的工作電壓范圍4.5V~5.5V，訪問速率達到55ns，可在-40℃至85℃的寬溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。同時同步SRAM采用32引腳TSOP1的封裝形式，適合對帶寬有極端要求的設(shè)備，如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機、高端顯卡以及通信基站等。
偉凌創(chuàng)芯低功耗同步SRAM類型
①ZBT SRAM（零總線周轉(zhuǎn)SRAM）消除了傳統(tǒng)SRAM在讀寫切換時的等待周期，效率極高，常用于網(wǎng)絡(luò)處理器；
②QDR SRAM（四倍數(shù)據(jù)速率SRAM）擁有獨立的讀寫端口，能夠同時執(zhí)行讀寫操作，帶寬表現(xiàn)十分突出；
③DDR SRAM（雙倍數(shù)據(jù)速率SRAM）則在時鐘上下沿均傳輸數(shù)據(jù)。用戶可根據(jù)自身項目需求，選擇最匹配的同步SRAM方案。
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本文關(guān)鍵詞：SRAM
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