MR2A08AYS35是一款3.3V、并行I/O非揮發RAM,其超短的存取周期僅為35ns,并允許無限制的讀/寫循環。在每次寫入后,資料能持續保存超過20年。此外,與其他存儲器不同,MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率SER(SoftError Rate)。MR2A08AYS35采用8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝（球中心距為0.75mm）?？梢耘c較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，無需組裝電池，也了提高可靠性。

 

MR2A08AYS35典型的應用包括計算機存儲系統及服務器、工業自動化和機器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統。

 

本文關鍵詞：Everspin

 

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