目前在非易失性存儲芯片占主流的是NAND內(nèi)存，這一年來不斷漲價缺貨確實也挺讓人揪心的，但是也別無選擇，在新一代非易失性存儲芯片技術(shù)中，MRAM一直被視為替換NAND內(nèi)存的潛力者，MRAM是同時具有SRAM的快速及非易失性的特點，目前MRAM產(chǎn)品是由Everspin科技公司在生產(chǎn)，日前Everspin發(fā)布了一款基于基于MRAM技術(shù)的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盤，但是4K隨機性能高達150萬IOPS，延遲只有6微秒，遠遠高于目前的企業(yè)級SSD硬盤。
之前Everspin生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品技術(shù)大都是基于ST(Spin-transfer torque，自旋鈕轉(zhuǎn)換)技術(shù)，Everspin公司的nvNITRO硬盤也不例外，它基于該公司的256Mb DDR3 STT-MRAM芯片打造，目前實現(xiàn)的容量是1GB和2GB，分別使用32顆、64顆ST-MRAM芯片，接口則是PCI-E 3.0 8x，HHHL半高半長規(guī)格，支持NVMe標(biāo)準(zhǔn)。
Everspin推出的第一款STT-MRAM產(chǎn)品采用ST-DDR3，這是一種類似JEDEC的DDR3接口，并需要進行一些修改以充分利用MRAM技術(shù)的持久性。這些產(chǎn)品的性能如同持久性DRAM，但無需刷新。其他產(chǎn)品計劃將利用高速串行接口用于各種嵌入式應(yīng)用。4K QD=32隨機性能高達150萬IOPS，延遲則只有6微秒，這個指標(biāo)放在高端企業(yè)級SSD中也是非常強悍的，Aanandtech網(wǎng)站給出的兩個例子就是Intel最強企業(yè)級硬盤DC P3700延遲有20微秒，HGST企業(yè)級SSD Ultrastar SN260硬盤隨機性能也不過120萬IOPS。
根據(jù)Everspin公司所說，他們預(yù)計Q2季度正式推出nvNITRO硬盤，會有U.2、M.2等其他規(guī)格的產(chǎn)品，容量也會涵蓋512MB到8GB范圍。
除此之外，今年晚些時候他們還會推出基于DDR4界面的1Gb ST-MRAM芯片，硬盤容量可以達到4-16GB了。

本文關(guān)鍵詞：Everspin   STT-MRAM

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