Applied Materials 硅系統(tǒng)組內(nèi)存和材料總經(jīng)理 Er-Xuan Ping 說：“他們正在解決 DRAM 和 NAND 的所存在的問題。NAND 很慢，DRAM 雖然快，但卻是易失性的。”

DRAM 是易失性的，所以當(dāng)系統(tǒng)斷電時，數(shù)據(jù)會丟失。閃存在斷電時雖然能繼續(xù)保存數(shù)據(jù)。但在實際工作中，閃存會經(jīng)歷多輪讀/寫周期，這個過程很慢。

總而言之，下一代內(nèi)存類型的需要具備的特點是快、非易失且能提供無限的耐久性。它們還要能提供位可改寫、免擦除的功能，從而可以作為 DRAM 和閃存的完美替代品。

這些內(nèi)存技術(shù)的問題在于它們依靠于非同尋常的材料和復(fù)雜的開關(guān)機制，所以下一代內(nèi)存類型需要更長的開發(fā)時間。與此同時，內(nèi)存行業(yè)還在繼續(xù)發(fā)展DRAM 和閃存，讓新內(nèi)存類型在市場上毫無立足之地。

但是，現(xiàn)在有好幾種新內(nèi)存類型都正迎來發(fā)展好機會，其中3D XPoint 和 STT-MRAM 勢頭最盛。另外還有碳納米管 RAM、FRAM 和 ReRAM 等其它一些類型。

沒有任何一種單一內(nèi)存類型是全能的，可以處理所有應(yīng)用。每種技術(shù)都有不同的屬性，能夠執(zhí)行不同的功能。Lam Research 的子部門 Coventor 的首席技術(shù)官 David Fried 說：“我預(yù)測這些先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)首先會被用于能夠體現(xiàn)和利用它們的特有優(yōu)勢的應(yīng)用中。”

由英特爾和美光開發(fā)的 3D XPoint 技術(shù)是下一代相變內(nèi)存。而 STT-MRAM 則使用電子自旋的磁性來提供非易失性。

碳納米管 RAM 是使用納米管來形成電阻態(tài)。而 FRAM 則是使用鐵電電容器來存儲數(shù)據(jù)。

ReRAM 與上述方法都不一樣。在多年的開發(fā)發(fā)展中，ReRAM 曾在 2008 年變得聲名狼藉，那時候惠普公司提出了一種被稱為憶阻器（memristor）的 ReRAM。多年以來，惠普一直都在開發(fā)一款集成整合了憶阻器的面向未來的系統(tǒng)“The Machine”。但分析人士說，惠普在這項技術(shù)上努力多年之后卻轉(zhuǎn)向了一種更加傳統(tǒng)的內(nèi)存方案，退出了憶阻器的道路。

現(xiàn)在惠普已經(jīng)和西部數(shù)據(jù)開始合作開發(fā)另一種 ReRAM 技術(shù)了。Adesto、4DS、Crossbar、美光、三星、松下、索尼等公司也在開發(fā) ReRAM。

但是到目前為止，松下是唯一一家量產(chǎn) ReRAM 的公司。另外，Crossbar 也有望在今年年底之前開始出貨 ReRAM。

其它公司都還在努力開發(fā) ReRAM。“Adesto 一直在緩慢地出貨低密度 CBRAM，他們相信將在 2018 年實現(xiàn)大量出貨。”Web-Feet Research 首席執(zhí)行官 Alan Niebel 在談到導(dǎo)電橋接 RAM（CBRAM，這是一種 ReRAM）時說道，“西部數(shù)據(jù)和惠普現(xiàn)在已經(jīng)陷入困境，也許能在 2019 年出貨。”

與此同時，索尼正在調(diào)整自己的 ReRAM 的開發(fā)工作。多年來，索尼和美光一直都在合作開發(fā) ReRAM，但美光最近退出了該項目。轉(zhuǎn)而開始與英特爾合作重點開發(fā) 3D XPoint，留下了沒有晶圓廠合作伙伴的索尼獨自開發(fā) ReRAM。

在代工廠方面，臺積電、中芯國際、聯(lián)電等都正在為代工客戶開發(fā)和/或提供 ReRAM 工藝。但 GlobalFoundries 和三星這兩家到目前為止都還沒有推出 ReRAM。

晶圓代工廠正在探索所有下一代內(nèi)存類型，但它們的重點還是那些長期看來更有可能成功的技術(shù)。GlobalFoundries 嵌入式內(nèi)存副總裁 Dave Eggleston 說：“投資這些技術(shù)的成本很高，行業(yè)只能投資這么多。”

ReRAM 具備一些優(yōu)勢，但仍然面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。他補充說：“在采用方面，ReRAM 事實上有點讓人失望。”


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