隨著電子產品的越來越智能化，為了能夠更快速的處理身份認證、通信協(xié)議、消息生成和數(shù)據(jù)累計等任務，應用程序的底層代碼也是越寫越長，從以前的幾千字節(jié)發(fā)展到現(xiàn)如今的幾兆字節(jié)。因此目前的存儲手段已無法滿足新一代技術對存儲容量和存儲性能的要求。

現(xiàn)在的閃存技術信息的存儲是基于電荷密度，丟失幾個電子會導致嚴重的可靠性問題，一旦芯片尺寸小于25nm，閃存技術的耐久性、維持性和可靠性就會出現(xiàn)嚴峻的不確定性。每當有新的單片機和晶片系統(tǒng)需要被設計時，設計人員在做結構設計時務必要考慮到存儲器容量、架構和集成等相關問題。但這種工作并不是一勞永逸的，當另一批系統(tǒng)架構師還是需要重新研究嵌入式存儲模塊與邏輯處理單元集成的方式。

根據(jù)分析公司W(wǎng)eb-FeetResearch的預測，到2018年，消費類電子產品的存儲器市場將達到28.8億美元，巨大的市場需求已經迫使這個問題必須快速得到解決了。

改良性的解決方案是數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)使用高端的存儲控制芯片來管理復雜的架構和算法，例如，清華紫光就已經投入了數(shù)百億美元到NAND、DRAM等存儲器的開發(fā)之中，估計在明年將會推出國產3D NAND閃存。但無論是NAND還是DRAM都是當前的技術水平，而且在存儲領域，中國落后了世界先進水平20多年，所以要想實現(xiàn)完美逆轉，還是要寄托于下一代存儲技術上。

當前在下一代存儲芯片的研發(fā)當中，除了Intel、鎂光基于PCM相變存儲技術研發(fā)的3DXPoint芯片之外，最有名的就是ReRAM芯片了。成立于2010年的Crossbar是開發(fā)ReRAM最具代表性的企業(yè)，實力不容小覷，Crossbar的首席科學家和聯(lián)合創(chuàng)始人盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士在ReRAM領域有十二年的研究經驗。這家公司的任何舉動都會引起業(yè)界的廣泛關注。為了進軍中國市場，在2016年3月，Crossbar與中芯國際達成合作，基于中芯國際的40nm CMOS試產ReRAM芯片，而如今總算是成為現(xiàn)實。

 

據(jù)悉，ReRAM芯片比上一代的NAND芯片性能更強大，密度比DRAM內存高40倍，寫入速度快1000倍，讀取速度快100倍，耐久度高1000倍，200平方毫米左右的單芯片即可實現(xiàn)TB級存儲，還具備結構簡單、易于制造等優(yōu)點。


本文關鍵詞：ReRAM  存儲芯片

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